Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом icon

Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом


Скачать 266.55 Kb.
НазваниеВещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом
Дата публикации24.10.2013
Размер266.55 Kb.
ТипДокументы

1) Строение вещества. Понятия нейтрального атома, положительного и отрицательного ионов. Виды химических связей между атомами и молекулами. Структура твердых тел.




Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ. по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом.


2) . Определение, применение и классификация радиоматериалов по поведению в электрическом и магнитном полях.

-^ Радиоматериалыэто материалы, которые используют в радиоэлектронике благодаря их свойствам, проявля-ющимся в эл. и магн. полях.

-Их применяют для изготовления проводов, кабелей, пассивных радиокомпонентов, электронных приборов, интегральных микросхем и т.д.

-По поведению в эл. поле


  • проводниковые (хорошая электропроводность)

  • диэлектрические (плохая электропров.)

  • полупроводниковые (электропров. существенно зависит

от внеш. воздействий)


-По поведению в магн. поле


  • магнитные (акт. взаимод. с магн. полем)

  • немагнитные (практич. не взаимод. с магн. полем)


3) Сущность зонной теории электропроводности твердых тел применительно к проводникам, диэлектрикам и полупроводникам.

^ Электроны стремятся за-нять уровни с мин. энер-гией.


Верх. зону, частично или полностью заполненную электронами при Т = 0 К, наз. валентной зоной, а ближ. к ней своб. зону – зоной проводимости.


^ Ширина запрещенной зоны DЕЗ влияет на элек-тропроволность материа-лов.

4) Определение проводника и классификация проводниковых материалов по агрегатному состоянию, химическому составу и назначению. Сущность электропроводности металлов, понятие удельной проводимости.

-^ Проводник - вещество, основным электрическим свойством которого является сильно выраженная электропроводность.

-1. По агрегатному состоянию


твердые

жидкие

газообразные


2. По химическому составу


металлы

сплавы металлов

неметаллические материалы


^ 3. По назначению


высокой проводимости

высокого сопротивления

специального назначения


- где q = 1,6·10-19 Кл – заряд электрона; n – концентрация своб. электронов; v – ср. скор. дрейфа электронов

- lПР – ср. длина своб. пробега электронов; m = 9,1·10-31 кг – мас-са электрона; ū – ср. скор. хаотич. теплового движения элек-тронов; s - уд. проводимость

- gif" name="object4" align=absmiddle width=134 height=46> h = 6,62·10 –34Дж·с = 4,14·10 –15 эВ·с – постоянная Планка

5) Электрофизические свойства металлов и сплавов.

-1. Сильно выраженная электропроводность за счет боль-шого к-ва свободных электронов.

-2. ¯ s сплавов по сравнению с чистыми металлами за счет искажений кристаллической решетки и ¯ lПР.

-3. ¯ s при ­ Т за счет ¯ lПР.

-4. Нагрев проводников при протекании через них тока, вплоть до плавления при большой плотности тока.

-5. Поверхностный эффект, состоящий в вытеснении тока из глубины к поверхности проводника на ВЧ. При ­ f глубина проникновения тока в проводник ¯ , эффектив-ная площадь поперечного сечения ¯ и сопротивление проводника R ­.

-6. ­ удельного сопротивления ρ = 1/s проводящих пленок при ¯ их толщины.


6) Параметры проводниковых материалов

^ 1. Удельное сопротивление

где R – сопротивление проводника, Ом; S – поперечное

сечение, мм2; l – длина, м.

^ 2. Темпер. коэф. уд. сопротивления

где rо и r – соответственно уд. сопр. проводника при

То = 293 К (20°C) и температуре Т.

^ 3. Допустимая плотность тока

где Iдоп – допустимый ток через проводник.

4. Ток плавления

Для проводов диаметром d £ 0,2 мм:

для проводов d > 0,2 мм:

где k и m – коэф., зависящие от вида проводникового

материала

^ 5. Коэф. увеличения сопротивления на ВЧ

где R~ – сопр. перем. току на ВЧ; Rо – сопр. пост. току;

d – диаметр провода, мм; D – глубина проникнове-ния тока, на которой его плотность ¯ в е » 2,72 раз

r – уд. сопр., Ом·мм2/м; f – частота, МГц.



^ 6. Уд. поверхностное сопротивление тонких пленок

Ом/o где d – толщина пленки; rd – уд. сопр. пленки


r – объемное уд. сопр. проводника.

Сопротивление пленки рассчитывают по формуле:

где l и b – соответственно длина и ширина пленки.

7) Определение диэлектрика и классификация диэлектрических материалов по агрегатному состоянию, назначению, механизму поляризации, происхождению, химической основе и реакции на внешние воздействия.

-^ Диэлектрик - вещество, основными эл. свойствами которого явл. способность поляризоваться в эл. поле и очень низкая электропроводность.

-По агрегатному состоянию


  • твердые

  • жидкие

  • твердеющие

  • воскообразные

  • газообразные


-По назначению


  • электроизоляционные

  • конденсаторные


-По механизму поляризации


  • полярные

  • неполярные

-По происхождению


природные

искусственные


-По химической основе


  • органические

  • неорганические


-По реакции на внешние воздействия


пассивные

активные

8) Понятие поляризации и виды поляризации диэлектриков.

Поляризация – ограниченное смещение связанных эл. зарядов или ориентация диполей диэл-ка под действием эл. поля.


^ 1. Электронная поляризация

Это быстрое упругое смещение и деформация элек-тронных оболочек эл. нейтральных атомов или ионов под дейст. эл. поля, присущее всем диэл-кам.



упругий диполь


Эта поляризация вызывает в диэл-ке реактивный емкостный ток смещения Iсм без потерь энергии.


^ 2. Ионная поляризация

Это относительно быстрое упругое смещение ионов неполярных диэл-ков с ионной кристаллич. структурой под дейст. эл. поля.







Тоже возникает реакт. ток Iсм без потерь энергии.


^ 3. Дипольная поляризация

Это относительно медленное изменение ориентации дипольных молекул полярных диэл-ков под дейст. эл. поля.



Возникает ток абсорбции Iаб , содержащий реакт. Iаб.р и акт. Iаб.а составляющие. Ток Iаб.а приводит к потерям энергии на нагрев диэл-ка.


^ 4. Спонтанная поляризация

Это самопроизвольная ориентация диполей сегнето-электриков внутри областей, называемых доменами.



Под действием эл. поля изменяется ориентация диполей и ­ домены, ориентация которых ближе к направлению поля, а другие домены ¯. При ЕКР структура становится однодоменной, что соответствует макс. поляризации.

Относит. медленное изменение ориентации диполей и большие потери энергии.


9) Электрофизические свойства диэлектрических материалов.


^ 1. Способность поляризоваться в эл. поле.

2. Очень низкая электропроводность и хорошие электро-изоляц. св-ва за счет большой ширины запрещ. зоны.

3. ­ электропроводности при ­ температуры

^ 4. Потеря электроизоляц. свойств при недопустимо боль-шой напряженности эл. поля в результате эл. пробоя с образованием проводящего канала в месте пробоя.

^ 5. Наличие диэл. потерь – выделяемой в виде тепла мощ-ности, расходуемой эл. полем на поляризацию диэл-ка.

6. Зависимость степени поляризации и диэл. потерь от температуры и частоты перем. напряжения.


10) Параметры диэлектрических материалов.


^ 1. Относит. диэлектрическая проницаемость

где С – емкость конденсатора с диэл-ком


Со – емк. конденсатора без диэл-ка


^ Емкость плоского конденсатора:

где eо = 8,85·10-12 Ф/м – эл. постоянная вакуума;

S – площадь пластины, м2;

h – расстояние между пластинами, м.

^ 2. Темпер. коэф. диэл. проницаемости

где eD – изменение диэл. проницаемости при изменении

температуры на DТ.

^ 3. Удельное объемное сопротивление

где RV – объемное сопр. диэл-ка, Ом;

S – площ. попереч. сечения диэл-ка, м2;

h – толщина диэл-ка, м.

^ 4. Уд. поверхностное сопротивление

где RS – поверхн. сопр. диэл-ка, Ом;

Р – периметр попереч. сечения диэл-ка, м.

^ 5. Электрическая прочность

где ЕПР – напряженность эл. поля, вызыв. пробой диэл-ка;

UПР – пробивное напряжение, кВ;

h – толщина диэл-ка в месте пробоя, мм.

^ 6. Тангенс угла диэл. потерь

Iск – сквозной акт. ток

I = Iсм + Iаб + Iск;

Iа = Iаб.а + Iск;

Iр = Iсм + Iаб.р.

d – угол диэл. потерь


11) Природа магнетизма, понятия магнитной восприимчивости, магнитной индукции и классификация материалов по магнитным свойствам.

^ Причиной магнетизма вещества служат внутриатом-ные замкнутые токи, источниками которых явл.:

орбитальное движение электронов вокруг ядра;

вращение электронов вокруг своей оси (спин).

Эти токи создают орбитальные и спиновые магнитные моменты. Суммарный магн. момент атома при полностью заполненных электронных оболочках = 0, в противном случае ≠ 0.

^ Под действием внеш. магн. поля любой материал намагничи-вается. Это св-во характеризуется магн. восприимчивостью:

где Iм = М/V – намагниченность, А/м; М – магн. момент мате-

риала, А·м2; V – объем материала, м3; Н – напряженность

магн. поля, А/м.

Намагниченный материал создает собств. магн. поле, которое характеризуется магн. индукцией:

^ В = μоμН, Тл, где μо = 4π·10 -7 Гн/м – магн. постоянная; μ – относительная

магн. проницаемость:

В – магн. индукция в данном материале; Во – магн. индук-

ция в вакууме.

-Слабомагнитные материалы


диамагнетики

парамагнетики


-Сильномагнитные (магнитные) материалы


ферромагнетики

ферримагнетики


12) Свойства диамагнетиков, парамагнетиков и ферромагнетиков. Механизм намагничивания ферромагнетиков, понятия магнитной анизотропии и магнитострикции.


-Свойства диамагнетиков: Магн. моменты их атомов = 0, поэтому вне магн. поля диамагнетики немагнитны. В магн. поле в них индуцируется магн. момент, направленный встречно полю и ослабляющий его. Намагниченности нет (kм = - (10-6…10-7), μ < 1).

^ Примеры: медь, серебро, золото, кремний, германий и др.


-Свойства парамагнетиков: Магн. моменты их атомов ≠ 0, но ориентир. хаотично, поэто-му вне магн. поля парамагнетики немагнитны. В магн. поле магн. моменты атомов ориентир. по направлению поля, уси-ливая его. Намагниченность слабая (kм = (10-3…10-6), μ > 1) и практически не сохраняется при снятии магн. поля.

^ Примеры: алюминий, титан, соли железа, никеля и др.


-Свойства ферромагнетиков: Магн. моменты их атомов ≠ 0 и в пределах небольших об-ластей (доменов) ориентир. в одном направлении, поэтому вне магн. поля ферромагнетики имеют спонтанную намаг-ниченность. В магн. поле домены ориентируются по нап-равлению поля и усиливают его. Намагниченность сильная (kм = 103…106, μ » 1) и сохраняется после снятия магн. поля.

^ Примеры: железо, кобальт, никель и др.


13) Характеристики и параметры магнитных материалов.

Причиной магнетизма вещества служат внутриатом-ные замкнутые токи, источниками которых явл.:

орбитальное движение электронов вокруг ядра;

вращение электронов вокруг своей оси (спин).

Эти токи создают орбитальные и спиновые магнитные моменты. Суммарный магн. момент атома при полностью заполненных электронных оболочках = 0, в противном случае ≠ 0.

^ Под действием внеш. магн. поля любой материал намагничи-вается. Это св-во характеризуется магн. восприимчивостью:

где Iм = М/V – намагниченность, А/м; М – магн. момент мате-

риала, А·м2; V – объем материала, м3; Н – напряженность

магн. поля, А/м.

Намагниченный материал создает собств. магн. поле, которое характеризуется магн. индукцией:

В = μоμН, Тл,

где μо = 4π·10 -7 Гн/м – магн. постоянная; μ – относительная

магн. проницаемость:

В – магн. индукция в данном материале; Во – магн. индук-

ция в вакууме.

-^ КЛАССИФИКАЦИЯ МАТЕРИАЛОВ ПО МАГНИТНЫМ СВОЙСТВАМ

-1Слабомагнитные материалы


диамагнетики

парамагнетики


-2Сильномагнитные (магнитные) материалы


ферромагнетики

ферримагнетики


14) Определение конструкционных материалов, их основные виды и свойства.


^ Конструкционные материалы – это материалы для изго-товления несущих конструкций, механизмов, корпусов и вспомогательных элементов конструкций СВТ.

  • прочность - способность оказывать сопротивление силам разрушения любого типа

  • жесткость - способность противостоять механической деформации

  • твердость - сопротивление местной пластической дефор-мации при внедрении более твердого тела

  • износостойкость - сопротивление изнашиванию трущихся частей

  • технологичность - соответствие требованиям экономич-ной технологии изготовления изделий

  • коррозионная стойкость - способность противостоять разрушительному действию коррозии при взаимодействии с агрессивной средой



^ ОСНОВНЫЕ ВИДЫ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ

-1Металлические

материалы


  • металлы

  • сплавы металлов


-2Неметаллические материалы


  • пластмассы

  • резина



15) Определение полупроводника, классификация полупроводниковых материалов по химическому составу и структуре кристаллической решетки.

-Полупроводник (ПП) - вещество, основным эл. св-вом которого явл. сильная зависимость электропроводности от внеш. факторов (температуры, света, эл. поля, радио-активного излучения и др.).

^ КЛАССИФИКАЦИЯ ПП МАТЕРИАЛОВ

-По химическому составу


простые: кремний (Si), германий (Ge)

сложные:

- хим. соединения: арсенид галлия (GaAs)

- твердые растворы: сплавы Si, Ge и др.


-По структуре кристаллической решетки


собственные: i-типа (intrinsic)

примесные:

- n-типа (negative)

- р-типа (positive)


16) Структура кристаллической решетки и энергетическая диаграмма собственного полупроводника. Сущность процессов генерации и рекомбинации подвижных носителей заряда в полупроводнике. Понятие равновесных носителей заряда.


Собственный ПП – в кристал. решетке которого нет примесных атомов др. валентности.

При Т = 0 К все электроны – в ковалентных связях, под-вижных носителей заряда и электропроводности нет.

При ­Т происходит тепловая генерация пар подвиж. но-сителей заряда электрон-дырка, где дырка – это неза-полненная ковалентная связь, соответств. подвижному «+» заряду. В результате электропроводность ­.

^ Одновременно с генерацией пар электрон-дырка идет их рекомбинация, когда своб. электрон занимает место дырки в ковалентной связи и оба подвиж. носителя исчезают.

где k – пост. Больцмана;Т – температу-

ра, К; Nc и Nv – эфф. плотность сос-

тояний электронов в зоне провод. и

дырок в валент. зоне:

mn* и mp* – эфф. масса электрона в зоне провод. и дырки в валент. зоне; h – постоянная Планка.

17) Свойства и параметры собственных полупроводников

^ 1. При Т = const устанавливается равновесная собственная

концентрация носителей заряда:

где ni и рi – равновесная концентрация электронов и дырок

в единице объема ПП.

^ 2. В нормальных условиях ni и рi малы, поэтому электропро-

водность ПП низкая.

3. Зависимость ni , pi и электропроводности от ширины зап-

рещенной зоны DЕЗ: чем больше DЕЗ , тем они ниже, и на-

оборот.

4. ­ni , ­pi и ­ электропроводности при ­Т:




18) Структура кристаллической решетки и энергетическая диаграмма примесных полупроводников n-типа. Понятия основных и неосновных носителей заряда.

Примесный ПП – в кристал. решетке которого есть примесные атомы др. валентности и их конц. больше собств. конц. носителей.



^ Пятивалентная примесь наз. донорной. Она ­ конц. своб. электронов nn и ¯ конц. дырок pn.

Электроны - осн. носители, дырки - неосн.

Атомы донорной примеси (доноры), отдавая электро-ны в зону провод., становятся «+» ионами.



^ Уровень Ферми ПП n-типа

где Nd – концентрация донорной примеси.

Если все доноры ионизированы, то:



19). Структура кристаллической решетки и энергетическая диаграмма примесных полупроводников p-типа. Понятия основных и неосновных носителей заряда.

^ Трехвалентная примесь наз. акцепторной. Она ­ конц. дырок pр и ¯ конц. своб. электронов nр.

Дырки – осн. носители, электроны – неосн.

Атомы акцепторной примеси (акцепторы), захваты-вая электроны в валент. зону, становятся «-» ионами.




^ Уровень Ферми ПП р-типа

где Na – концентрация акцепторной примеси

Если все акцепторы ионизированы, то:



20). Свойства и параметры примесных полупроводников.

^ 1. В раб. диапазоне Т все доноры и акцепторы ионизированы,

поэтому nn » Nd , рр » Na .

2. В ПП n-типа - nn » pn, р-типа - рр » np.

В ПП n-типа:

nn pn = ni2.

nn » Nd



В ПП р-типа:

pp np = ni2.

pp » Na



3. ­ электропроводности при ­Nd (­Na).

^ 4. Относит. малое изменение nn , pр и элек-

тропроводности в раб. диапазоне Т:

Ts – температура, при которой практически все примесные атомы ионизированы (Ts ≈ 100 К);

Ti – температура, при которой интенсивность тепловой гене-рации пар электрон-дырка резко ­, поэтому разница в кон-центрации основных и неосновных носителей заряда тоже резко ¯ и примесный ПП по своим св-вам приближается к собственному ПП (чем больше ΔЕз , тем больше Ti).




21 Понятие неравновесных носителей заряда в полупроводнике, времени их жизни и диффузионной длины. Взаимосвязь параметров диффузионного движения неравновесных носителей заряда.

Носители, возникшие не за счет тепловой генерации, а за счет др. внеш. воздействий, например, света, наз. неравновесными, т.е. избыточными носителями, нару-шающими термодинамическое равновесие.

^ Благодаря большей конц. носителей у поверхности про-исходит их диффузия в глубь ПП. Чем глубже, тем мень-ше их конц. за счет рекомбинации.

По окончании внеш. воздействия все неравновесные носители рекомбинируют и термодинамическое равно-весие восстанавливается.

^ Процесс рекомбинации характеризуется временем жизни неравновесных носителей t, в течение которого их конц. уменьшается в е » 2,72 раз.

В полупроводнике n-типа это время жизни дырок t = tp, а p-типа – время жизни электронов t = tn.

Ср. расстояние L, на которое перемещаются носители за время жизни t, наз. их диффузионной длиной.

В полупроводнике n-типа это диф. длина дырок L = Lp, а p-типа – диф. длина электронов L = Ln.

Взаимосвязь параметров диффузионного движения неравновесных носителей:

где Dn и Dp – коэффициенты диффузии электронов и дырок.

22) Понятия дрейфового тока и подвижности носителей заряда в полупроводнике. Зависимость подвижности и скорости дрейфа носителей заряда от напряженности электрического поля. Плотность дрейфового тока и удельная проводимость собственных и примесных полупроводников. Зависимость удельной проводимости от температуры.

^ Дрейфовый ток – это направленное движение носителей заряда под действием эл. поля.



Подвижность носителей заряда:

где v – ср. скорость дрейфа носителей под действием эл. поля с

напряженностью Е .

где q – заряд электрона; lпр – ср. длина своб. пробега носи-

телей; m* – эфф. масса носителей; ū – ср. тепловая ско-

рость носителей:

mn > mр, где mn и mр – подвижность электронов и дырок.


m ¯ при ­ T за счет ­ частоты столкновений электронов с атомами кристал. решетки.

^ Плотность дрейфового тока:

jдр = jдр.n + jдр.р = qnmnЕ + qpmpE = sЕ,

где n и р – конц. электронов и дырок; s – удельная проводи-

мость ПП:

s = q(nmn + pmp).

Для собств. ПП:

si = q(nimn + pimp).

Для ПП n-типа (nn » pn):

sn » qnnmn .

Для ПП р-типа (рр » np):

sp » qppmp .

23). Понятие диффузионного тока в полупроводнике. Плотность диффузионного тока, взаимосвязь параметров диффузионного и дрейфового движения носителей заряда.

^ Диффузионный ток – это направленное движение носите-лей заряда, обусловленное диффузией за счет наличия градиента концентрации носителей в объеме ПП.

При неравномерной концентрации носителей происходит их диффузия в сторону меньшей концентрации.


^ Плотность электронной составляющей диффузионного тока:



Плотность дырочной составляющей диффузионного тока:

где х – направление градиента концентрации носителей в

объеме ПП.

Взаимосвязь параметров диффузионного и дрейфового движения носителей (соотношения Эйнштейна):

Dn = jт mn;

Dр = jт mр,

где jт – температурный потенциал микрочастицы




24). Эффект поля в полупроводниках n- и p-типа

Если к поверхности ПП n-типа приложить «+» потенциал, то образующееся эл. поле притягивает электроны, отталкивает дырки и получается обогащенный электронами поверхност-ный слой.


^ При «–» потенциале притягиваются дырки, электроны от-талкиваются, получается обедненный электронами слой или даже инверсный дырочный слой.


Аналогично получается обогащенный дырками слой на поверхности ПП p-типа, если к ней приложить «-» потен-циал, либо обедненный дырками слой, или даже инверсный электронный слой при «+» потенциале.


25) Определение и классификация радиокомпонентов по характеру преобразования электрических сигналов, способу монтажа и конструктивно-технологическому признаку.

^ Радиокомпонентконструктивно неделимая составная часть СВТ низшего иерархического уровня, выполняющая заданное преобразование эл. сигналов.

По характеру преобразования эл. сигналов


^ 1 активные 2 пассивные

  • электронные приборы

  • полупроводниковые и

гибридные ИС

По конструктивно-технологическому признаку

дискретные

интегральные



  • 2резисторы

  • конденсаторы

  • катушки индуктивности

  • дроссели

  • трансформаторы

  • пленочные ИС

  • реле

  • переключатели и др.



По способу монтажа

для навесного монтажа

для печатного монтажа

для поверхностного монтажа

26). Определение, применение и принцип действия резисторов.

^ Резисторрадиокомпонент, предназначенный для

использования его эл. сопротивления

Резисторы применяют для обеспечения требуемых токов и напряжений в эл. цепях.


Принцип действия резисторов основан на способности радиоматериалов оказывать сопротивление протеканию эл. тока:



27). Классификация резисторов по назначению, характеру сопротивления, виду и материалу резистивного элемента. Конструкции резисторов.

^ По назначению

общ. назначения

специальные

прецизионные

высокочастотные

высоковольтные

высокоомные


По характеру сопротивления

постоянные • переменные • подстроечные


По виду резистивного элемента

проволочные • металлофольговые • непроволочные


^ По материалу резистивного элемента

углеродистые

металлодиэлектрические

металлоокисные

металлизированные

композиционные

полупроводниковые


28). Параметры резисторов.


Ряд

RНОМ ´ 10n, где n = 0, ± 1, ± 2 ...

Е6

1,0

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

Е12

1,0

1,2

1,5

1,8

2,2

2,7

3,3

3,9

4,7

5,6

6,8

8,2

Е24

1,0

1,1

1,2

1,3

1,5

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

2,7

3,0

3,3

3,6

3,9

4,3

4,7

5,1

5,6

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

Единицы измерения сопр.

1 кОм = 103 Ом; 1 МОм = 106 Ом;

1 ГОм = 109 Ом; 1 ТОм = 1012 Ом.

Номинальное сопр. Rном – сопр. при норм. условиях, указанное

на корпусе резистора.


^ Допустимое отклонение от номинала (допуск) dR%

Ряд

RНОМ ´ 10n, где n = 0, ± 1, ± 2 ...

Допуск

Е6

1,0

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

± 20%

Е12

1,0

1,2

1,5

1,8

2,2

2,7

3,3

3,9

4,7

5,6

6,8

8,2

± 10%

Е24

1,0

1,1

1,2

1,3

1,5

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

2,7

3,0

3,3

3,6

3,9

4,3

4,7

5,1

5,6

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

± 5%


29). Полная и упрощенная модели резистора. Функциональные характеристики переменных резисторов.

где RR – сопр. резистивного элемента; Rиз – сопр. изоляции;

Rк – сопр. контактов рез. элемента с выводами резистора.

Индуктивное

сопротивление

xL = 2πf LR.

Емкостное

сопротивление:



Резонансная частота

парал. колеб. контура:



30). Условные графические обозначения резисторов.



31). Условные буквенно-цифровые обозначения и маркировка резисторов.

Элемент

Обозначение

Расшифровка

Первый

Р

РП

НР

Постоянный

Переменный

Набор резисторов

Второй

1

2

Непроволочный

Проволочный

Третий

Число

Номер разработки

32). Определение, применение и принцип действия конденсаторов.

^ Конденсаторрадиокомпонент, предназначенный

для использования его емкости.

Конденсаторы применяют в качестве элементов коле-бательных контуров, разделительных, блокировочных, фильтровых элементов и т.д.


Принцип действия конденсатора основан на способности накапливать эл. заряд q при поляризации диэлектрика под действием эл. поля, образованного приложенным к проводящим пластинам напряжением U. Емкость кон-денсатора:

33). Классификация конденсаторов по назначению, характеру емкости и полярности напряжения. Конструкции конденсаторов.

^ По назначению


1 общ. назначения 2 спец. назначения

1низкочастотные (НЧ)

высокочастотные (ВЧ)


2 высоковольтные

импульсные

помехоподавляющие

вариконды

варикапы

По характеру

емкости


постоян. емкости

перемен. емкости

подстроечные

По полярности

напряжения


неполярные

полярные

34). Параметры конденсаторов.

Номинальная емкость СНОМ – емк. при норм. условиях, указанная

на корпусе конденсатора.

^ Единицы измерения емкости


1 мкФ = 10-6 Ф; 1 нФ = 10-9 Ф; 1 пФ = 10-12 Ф.

Ряд

Сном ´ 10n, где n = 0, ± 1, ± 2 и т.д.

 

Е6

1,0

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

 

Е12

1,0

1,2

1,5

1,8

2,2

2,7

3,3

3,9

4,7

5,6

6,8

8,2

 

Е24

1,0

1,1

1,2

1,3

1,5

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

2,7

3,0

3,3

3,6

3,9

4,3

4,7

5,1

5,6

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

 

где С – измеренное значение емкости

Ряд

Сном ´ 10n, где n = 0, ± 1, ± 2 и т.д.

Допуск

Е6

1,0

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

± 20%

Е12

1,0

1,2

1,5

1,8

2,2

2,7

3,3

3,9

4,7

5,6

6,8

8,2

± 10%

Е24

1,0

1,1

1,2

1,3

1,5

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

2,7

3,0

3,3

3,6

3,9

4,3

4,7

5,1

5,6

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

± 5%

Номин. напряжение UНОМ – макс. напряжение, при котором конденсатор способен работать в течение заданного срока, сохраняя параметры в допуске.

^ UРАБ < UНОМ < UПРОБ

Высоковольтные конденсаторы: UНОМ ³ 1600 B

Тангенс угла диэл. потерь tgd – характеризует потери энергии в конденсаторе за счет электропроводности и поляризации диэлектрика.

35). Модель конденсатора. Функциональные характеристики конденсаторов переменной емкости.



^ Комплексное сопр. паразитного колебат. контура:



Резонансная частота паразитного колебат. контура:

^ При f > fР сопр. конденсатора имеет индукт. характер, поэтому раб. частота ограничена диапазоном f < fР.




36). Условные графические обозначения конденсаторов.




37). Условные буквенно-цифровые обозначения и маркировка конденсаторов.

Элемент

Обозначение

Расшифровка

1-й

К

Постоянной емкости

2-й

10

15

20

21

22

23

31

32

40

41

42

50

51

52

53

70

Керамический низковольтный

Керамический высоковольтный

Кварцевый

Стеклянный

Стеклокерамический

Стеклоэмалевый

Слюдяной малой мощности

Слюдяной большой мощности

Бумажный низковольтный

Бумажный высоковольтный

Металлобумажный

Электролитический алюминиевый фольговый

Электролитический танталовый фольговый

^ Электролитический объемно-пористый

Оксидно-полупроводниковый

Полистирольный фольговый и др.

3-й

Буква

Режим работы

4-й

Число

Номер разработки


38. Определение, принцип действия и применение катушек индуктивности. Определение дросселя.

Катушка индуктивности (КИ)радиокомпонент,

предназн. для использования его индуктивности.







Т.о., принц. действия КИ основан на способности оказы-вать реактивное сопротивление перем. току:

XL = wL.




39. Классификация катушек индуктивности по характеру индуктивности, форме обмотки, наличию каркаса, сердечника и экрана.















По наличию экрана


неэкранированные • экранированные





40. Параметры и модель катушек индуктивности.





^ МОДЕЛЬ КИ




где L – индуктивность; RL – сопротивление потерь в проводе,

сердечнике и экране; СL – паразитная емкость; RД – сопро-

тивление диэлектрических потерь.

При ­ частоты RL­ и RД­, след. акт. сопр. потерь RП тоже ­.

^ При f > fр сопр. параллельного контура имеет емк. характер, поэтому раб. частота катушки ограничена диапазоном f < fр.


41. Условные графические обозначения катушек индуктивности.




^ 42. Условные буквенно-цифровые обозначения и маркировка катушек индуктивности и дросселей


Обозначение

Расшифровка

ИФМ


МКИ


МКИП


СБ


Д (ДМ, ДП, ДПМ)

Неподстраиваемая катушка индуктивности с тороидальным ферритовым сердечником

^ Неподстраиваемая катушка индуктивности с броневым ферритовым сердечником

Подстраиваемая катушка индуктивности с броневым ферритовым сердечником

^ Подстраиваемая катушка индуктивности с броневым магнитодиэлектричеким сердечником

Дроссели



43. Определение и классификация трансформаторов по назначению, мощности, напряжению, частоте, числу обмоток и фаз, коэффициенту трансформации, материалу, конструкции и технологии изготовления магнитопровода.












44. Устройство и принцип действия трансформатора.



где Ф1,2 – магн. потоки обмоток w1,2; Фс – результ. магн. поток; ФS1,2 – магн. потоки рассеяния; е1,2 – ЭДС обмоток w1,2.



45. Режимы работы и модели трансформаторов.



46. Параметры и характеристики трансформаторов.




47. Условные графические обозначения трансформаторов.




48. Маркировка трансформаторов питания.



Обозначение

Расшифровка

ПП

Р

Т

П

Без буквы

Питания устройств на полупроводниковых приборах

Питания с радиатором

Питания тороидальный

Питания для схем печатного монтажа

Питания

Обозначение

Расшифровка

В

Т

ТС

ТВ

УХЛ

К

М

Всеклиматическое исполнение

Тропическое исполнение

Тропическое исполнение для сухого климата

Тропическое исполнение для влажного климата Для районов с умеренным и холодным климатом

В кожухе

Уменьшенный расход меди

49. Определение и классификация коммутирующих радиокомпонентов по назначению, мощности и частоте. Формы и переходное сопротивление контактов.





50. Определение переключателей. Классификация переключателей по способу управления. Определения кнопки и кнопочного переключателя.






51. Определение реле. Классификация реле по способу управления и принципу действия. Принцип действия электромагнитного реле постоянного тока и магнитоуправляемого реле с герметическими контактами.



52. Условные графические обозначения контактов, переключателей, реле и электрических соединителей.




53. Влияние на радиокомпоненты повышенной температуры и влажности, механических воздействий, пониженного атмосферного давления и способы противодействия им.










54. Понятия работоспособности и отказа. Виды и причины отказов радиокомпонентов.



56. Основные показатели безотказности, восстанавливаемости, долговечности и сохраняемости изделий электроники.




Похожие:

Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом iconВещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом
Строение вещества. Понятия нейтрального атома, положительного и отрицательного ионов. Виды химических связей между атомами и молекулами....
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом iconЭлектротехника природа электричества
В природе все вещества состоят из молекул. Молекула, в свою очередь, состоит из атомов, атом – из ядра, а ядро из положительных протонов...
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом iconСостояние электрона в атоме
Электрон не имеет траектории движения, то есть можно говорить лишь о вероятности нахождения его в пространстве вокруг ядра. Совокупность...
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом iconЛекция 3 Строение атомов и молекул
Перейдем теперь к описанию простейшего атома водорода, состоящего из атомного ядра и одного электрона, взаимодействие которых описывается...
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом iconАтом – мельчайшая, электронейтральная, химически неделимая частица вещества, состоящая из положительно заряженного ядра и отрицательно заряженной электронной оболочки. Электронная оболочка
Атомное ядро – центральная, положительно заряженная, сложно организованная часть атома, состоящая из нуклонов – протонов и нейтронов,...
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом iconАтом – мельчайшая, электронейтральная, химически неделимая частица вещества, состоящая из положительно заряженного ядра и отрицательно заряженной электронной оболочки. Электронная оболочка
Атомное ядро – центральная, положительно заряженная, сложно организованная часть атома, состоящая из нуклонов – протонов и нейтронов,...
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом iconЛекция 6 Атомные ядра и элементарные частицы
Заряд ядра, число электронов в нейтральном атоме, а следовательно и порядковый номер элемента в таблице Менделеева, определяется...
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом iconПорядковый номер элемента =
Масса протона, как и масса нейтрон, приблизительно в 1840 раз больше массы электрона. Протоны и нейтроны находятся в ядре, поэтому...
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом icon1. Основоположник теории строения органических соединений:// Д. И. Менделеев
Атом или группа атомов, непосредственно участвующая в данной химической реакции
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом icon1. Основоположник теории строения органических соединений:// Д. И. Менделеев
Атом или группа атомов, непосредственно участвующая в данной химической реакции
Вещества построены из атомов и молекул. Атом электри-чески нейтрален и состоит из «+» ядра и «-» электронов, вращ по орбитам вокруг ядра. Атом, лишившийся валент-ного электрона, становится «+» ионом, а присоединивший лишний электрон «-» ионом iconМетодические указания для студентов при подготовке к практическому занятию учебная дисциплина " физиология"
Задний и средний мозг образуют ствол головного мозга. Этот отдел цнс имеет как сегментарные (двигательные и парасимпатические ядра...
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Документы


При копировании материала укажите ссылку ©ignorik.ru 2015

контакты
Документы